The electronic states of ITO–MoS2: Experiment and theory

We report a combination of experimental results with density functional theory (DFT) calculations to understand electronic structure of indium tin oxide and molybdenum disulfide (ITO–MoS2) interface. Our results indicate ITO and MoS2 conform an n-type Schottky barrier of c.a. − 1.0 eV due to orbital...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
مؤلفون آخرون: López Galan, Óscar, Ramos Murillo, Manuel Antonio, Nogan, John, Ávila-García, Alejandro, Boll, Torben, Heilmaier, Martin
التنسيق: Artículo
اللغة:en_US
منشور في: 2021
الموضوعات:
الوصول للمادة أونلاين:https://doi.org/10.1557/s43579-021-00126-9
https://link.springer.com/article/10.1557/s43579-021-00126-9#citeas
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!