The electronic states of ITO–MoS2: Experiment and theory

We report a combination of experimental results with density functional theory (DFT) calculations to understand electronic structure of indium tin oxide and molybdenum disulfide (ITO–MoS2) interface. Our results indicate ITO and MoS2 conform an n-type Schottky barrier of c.a. − 1.0 eV due to orbital...

Celý popis

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Další autoři: López Galan, Óscar, Ramos Murillo, Manuel Antonio, Nogan, John, Ávila-García, Alejandro, Boll, Torben, Heilmaier, Martin
Médium: Artículo
Jazyk:en_US
Vydáno: 2021
Témata:
On-line přístup:https://doi.org/10.1557/s43579-021-00126-9
https://link.springer.com/article/10.1557/s43579-021-00126-9#citeas
Tagy: Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!
Buďte první, kdo okomentuje tento záznam!
Nejprve se musíte přihlásit.