The electronic states of ITO–MoS2: Experiment and theory

We report a combination of experimental results with density functional theory (DFT) calculations to understand electronic structure of indium tin oxide and molybdenum disulfide (ITO–MoS2) interface. Our results indicate ITO and MoS2 conform an n-type Schottky barrier of c.a. − 1.0 eV due to orbital...

תיאור מלא

שמור ב:

מידע ביבליוגרפי
מחברים אחרים:	López Galan, Óscar, Ramos Murillo, Manuel Antonio, Nogan, John, Ávila-García, Alejandro, Boll, Torben, Heilmaier, Martin
פורמט:	Artículo
שפה:	en_US
יצא לאור:	2021
נושאים:	Materials, Computational, Semiconductor, Density of States, Femi Level info:eu-repo/classification/cti/1
גישה מקוונת:	https://doi.org/10.1557/s43579-021-00126-9 https://link.springer.com/article/10.1557/s43579-021-00126-9#citeas
תגים:	הוספת תג אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!

היה/י הראשונ/ה לכתוב הערה!

The electronic states of ITO–MoS2: Experiment and theory

פריטים דומים