The electronic states of ITO–MoS2: Experiment and theory
We report a combination of experimental results with density functional theory (DFT) calculations to understand electronic structure of indium tin oxide and molybdenum disulfide (ITO–MoS2) interface. Our results indicate ITO and MoS2 conform an n-type Schottky barrier of c.a. − 1.0 eV due to orbital...
Đã lưu trong:
| Tác giả khác: | , , , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Artículo |
| Ngôn ngữ: | en_US |
| Được phát hành: |
2021
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://doi.org/10.1557/s43579-021-00126-9 https://link.springer.com/article/10.1557/s43579-021-00126-9#citeas |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Là người đầu tiên ghi lời nhận xét!