On the Electronic Structure of 2H-MoS2: Correlating DFT Calculations and In-Situ Mechanical Bending on TEM

We present a systematic density functional theory study to determine the electronic structure of bending 2H-MoS2 layers up to 75deg using information from in-situ nanoindentation TEM observations. The results from HOMO/LUMO and density of states plots indicate a metallic transition from the typical...

Mô tả đầy đủ

Đã lưu trong:
Chi tiết về thư mục
Tác giả chính: Ramos Murillo, Manuel Antonio
Tác giả khác: Polanco Gonzalez, Javier, Lopez-Galan, Oscar Alberto, José-Yacamán, Miguel
Định dạng: Artículo
Ngôn ngữ:en_US
Được phát hành: 2022
Những chủ đề:
DFT
Truy cập trực tuyến:https://doi.org/10.3390/ma15196732 -
https://www.mdpi.com/1996-1944/15/19/6732
Các nhãn: Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
Là người đầu tiên ghi lời nhận xét!
Bạn phải đăng nhập trước