Airy pattern on narrow photoluminescence spectrum of band to band recombination in CdTe: Te thin films
Semiconductor CdTe:Te films were deposited by means of rf sputtering on glass substrates. The excess of Te gave place to a high number of Cd-vacancies (VCd) producing p-type CdTe films. The density of carriers produced a high strength surface electric field which allowed obtain the bandgap value emp...
Αποθηκεύτηκε σε:
Κύριος συγγραφέας: | |
---|---|
Άλλοι συγγραφείς: | , , |
Μορφή: | Artículo |
Γλώσσα: | en_US |
Έκδοση: |
Elsevier
2018
|
Θέματα: | |
Διαθέσιμο Online: | https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022231317309316 |
Ετικέτες: |
Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!
|
καταχωρήστε σχόλιο πρώτοι!