Airy pattern on narrow photoluminescence spectrum of band to band recombination in CdTe: Te thin films
Semiconductor CdTe:Te films were deposited by means of rf sputtering on glass substrates. The excess of Te gave place to a high number of Cd-vacancies (VCd) producing p-type CdTe films. The density of carriers produced a high strength surface electric field which allowed obtain the bandgap value emp...
Đã lưu trong:
| Tác giả chính: | |
|---|---|
| Tác giả khác: | , , |
| Định dạng: | Artículo |
| Ngôn ngữ: | en_US |
| Được phát hành: |
Elsevier
2018
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022231317309316 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Là người đầu tiên ghi lời nhận xét!