On the Electronic Structure of 2H-MoS2: Correlating DFT Calculations and In-Situ Mechanical Bending on TEM
We present a systematic density functional theory study to determine the electronic structure of bending 2H-MoS2 layers up to 75deg using information from in-situ nanoindentation TEM observations. The results from HOMO/LUMO and density of states plots indicate a metallic transition from the typical...
محفوظ في:
المؤلف الرئيسي: | Ramos Murillo, Manuel Antonio |
---|---|
مؤلفون آخرون: | Polanco Gonzalez, Javier, Lopez-Galan, Oscar Alberto, José-Yacamán, Miguel |
التنسيق: | Artículo |
اللغة: | en_US |
منشور في: |
2022
|
الموضوعات: | |
الوصول للمادة أونلاين: | https://doi.org/10.3390/ma15196732 - https://www.mdpi.com/1996-1944/15/19/6732 |
الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
Determining the Electronic Structure and Thermoelectric Properties of MoS2/MoSe2 Type-I Heterojunction by DFT and the Landauer Approach
منشور في: (2023) -
Electronic states and metallic character of carbide Co/MoS2 catalytic interface
منشور في: (2021) -
Attributes on 2H-MoS₂ surfaces with Scanning Electron Microscopy: 7CP24-11
بواسطة: Adrián David Barrandey, وآخرون
منشور في: (2024) -
MoS2 Thin Films for Photo-Voltaic Applications
بواسطة: Ramos Murillo, Manuel Antonio
منشور في: (2019) -
Study of indium tin oxide–MoS2 interface by atom probe tomography
بواسطة: Ramos Murillo, Manuel Antonio
منشور في: (2019)