Determining the Electronic Structure and Thermoelectric Properties of MoS2/MoSe2 Type-I Heterojunction by DFT and the Landauer Approach

The electronic structure and thermoelectric properties of MoX2 (X = S, Se) Van der Waals heterojunctions are reported, with the intention of motivating the design of electronic devices using such materials. Calculations indicate the proposed heterojunctions are thermodynamically stable and present a...

Descripció completa

Guardat en:
Dades bibliogràfiques
Altres autors: López-Galán, Óscar, Perez, Israel, Ramos Murillo, Manuel Antonio, Nogan, John
Format: Artículo
Idioma:en_US
Publicat: 2023
Matèries:
Accés en línia:https://doi.org/10.1002/admi.202202339
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/admi.202202339
Etiquetes: Afegir etiqueta
Sense etiquetes, Sigues el primer a etiquetar aquest registre!
Sigues el primer a deixar un comentari!
Abans heu d’iniciar sessió