Airy pattern on narrow photoluminescence spectrum of band to band recombination in CdTe: Te thin films
Semiconductor CdTe:Te films were deposited by means of rf sputtering on glass substrates. The excess of Te gave place to a high number of Cd-vacancies (VCd) producing p-type CdTe films. The density of carriers produced a high strength surface electric field which allowed obtain the bandgap value emp...
Сохранить в:
| Главный автор: | |
|---|---|
| Другие авторы: | , , |
| Формат: | Artículo |
| Язык: | en_US |
| Опубликовано: |
Elsevier
2018
|
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022231317309316 |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
Ваш комментарий будет первым!