Influence of post‑deposition annealing on the chemical states of crystalline tantalum pentoxide films
We investigate the effect of post-deposition annealing (for temperatures from 848 K to 1273 K) on the chemical properties of crystalline Ta2O5 films grown on Si(100) substrates by radio frequency magnetron sputtering. The atomic arrangement, as determined by X-ray diffraction, is predominately hex...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | , , , , , |
| التنسيق: | Artículo |
| اللغة: | English |
| منشور في: |
2018
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://doi.org/10.1007/s00339-018-2198-9 https://link.springer.com/article/10.1007/s00339-018-2198-9 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
