Influence of post‑deposition annealing on the chemical states of crystalline tantalum pentoxide films
We investigate the effect of post-deposition annealing (for temperatures from 848 K to 1273 K) on the chemical properties of crystalline Ta2O5 films grown on Si(100) substrates by radio frequency magnetron sputtering. The atomic arrangement, as determined by X-ray diffraction, is predominately hex...
Αποθηκεύτηκε σε:
| Κύριος συγγραφέας: | |
|---|---|
| Άλλοι συγγραφείς: | , , , , , |
| Μορφή: | Artículo |
| Γλώσσα: | English |
| Έκδοση: |
2018
|
| Θέματα: | |
| Διαθέσιμο Online: | https://doi.org/10.1007/s00339-018-2198-9 https://link.springer.com/article/10.1007/s00339-018-2198-9 |
| Ετικέτες: |
Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!
|
καταχωρήστε σχόλιο πρώτοι!