Influence of post‑deposition annealing on the chemical states of crystalline tantalum pentoxide films
We investigate the effect of post-deposition annealing (for temperatures from 848 K to 1273 K) on the chemical properties of crystalline Ta2O5 films grown on Si(100) substrates by radio frequency magnetron sputtering. The atomic arrangement, as determined by X-ray diffraction, is predominately hex...
שמור ב:
| מחבר ראשי: | |
|---|---|
| מחברים אחרים: | , , , , , |
| פורמט: | Artículo |
| שפה: | English |
| יצא לאור: |
2018
|
| נושאים: | |
| גישה מקוונת: | https://doi.org/10.1007/s00339-018-2198-9 https://link.springer.com/article/10.1007/s00339-018-2198-9 |
| תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|
היה/י הראשונ/ה לכתוב הערה!