Attributes on 2H-MoS₂ surfaces with Scanning Electron Microscopy: 7CP24-11
Đã lưu trong:
Những tác giả chính: | Adrián David Barrandey, Dr. Manuel Antonio Ramos Murillo, Dr. Abel Hurtado Macías |
---|---|
Ngôn ngữ: | spa |
Được phát hành: |
Instituto de Ingeniería y Tecnología - Universidad Autónoma de Ciudad Juárez
2024
|
Những chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | http://erevistas.uacj.mx/ojs/index.php/memoriascyt/article/view/6428 |
Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Những quyển sách tương tự
-
MoS2 Thin Films for Photo-Voltaic Applications
Bằng: Ramos Murillo, Manuel Antonio
Được phát hành: (2019) -
Electronic states and metallic character of carbide Co/MoS2 catalytic interface
Được phát hành: (2021) -
Determining the Electronic Structure and Thermoelectric Properties of MoS2/MoSe2 Type-I Heterojunction by DFT and the Landauer Approach
Được phát hành: (2023) -
On the Electronic Structure of 2H-MoS2: Correlating DFT Calculations and In-Situ Mechanical Bending on TEM
Bằng: Ramos Murillo, Manuel Antonio
Được phát hành: (2022) -
Study of indium tin oxide–MoS2 interface by atom probe tomography
Bằng: Ramos Murillo, Manuel Antonio
Được phát hành: (2019)