Determining the Electronic Structure and Thermoelectric Properties of MoS2/MoSe2 Type-I Heterojunction by DFT and the Landauer Approach

The electronic structure and thermoelectric properties of MoX2 (X = S, Se) Van der Waals heterojunctions are reported, with the intention of motivating the design of electronic devices using such materials. Calculations indicate the proposed heterojunctions are thermodynamically stable and present a...

وصف كامل

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
مؤلفون آخرون:	López-Galán, Óscar, Perez, Israel, Ramos Murillo, Manuel Antonio, Nogan, John
التنسيق:	Artículo
اللغة:	en_US
منشور في:	2023
الموضوعات:	Materials, MoS2, Interface, DFT, Electronic Structure info:eu-repo/classification/cti/1
الوصول للمادة أونلاين:	https://doi.org/10.1002/admi.202202339 https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/admi.202202339
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

كن أول من يترك تعليقا!

Determining the Electronic Structure and Thermoelectric Properties of MoS2/MoSe2 Type-I Heterojunction by DFT and the Landauer Approach

مواد مشابهة