Determining the Electronic Structure and Thermoelectric Properties of MoS2/MoSe2 Type-I Heterojunction by DFT and the Landauer Approach

The electronic structure and thermoelectric properties of MoX2 (X = S, Se) Van der Waals heterojunctions are reported, with the intention of motivating the design of electronic devices using such materials. Calculations indicate the proposed heterojunctions are thermodynamically stable and present a...

תיאור מלא

שמור ב:

מידע ביבליוגרפי
מחברים אחרים:	López-Galán, Óscar, Perez, Israel, Ramos Murillo, Manuel Antonio, Nogan, John
פורמט:	Artículo
שפה:	en_US
יצא לאור:	2023
נושאים:	Materials, MoS2, Interface, DFT, Electronic Structure info:eu-repo/classification/cti/1
גישה מקוונת:	https://doi.org/10.1002/admi.202202339 https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/admi.202202339
תגים:	הוספת תג אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!

היה/י הראשונ/ה לכתוב הערה!

Determining the Electronic Structure and Thermoelectric Properties of MoS2/MoSe2 Type-I Heterojunction by DFT and the Landauer Approach

פריטים דומים