Influence of post‑deposition annealing on the chemical states of crystalline tantalum pentoxide films
We investigate the effect of post-deposition annealing (for temperatures from 848 K to 1273 K) on the chemical properties of crystalline Ta2O5 films grown on Si(100) substrates by radio frequency magnetron sputtering. The atomic arrangement, as determined by X-ray diffraction, is predominately hex...
Сохранить в:
| Главный автор: | |
|---|---|
| Другие авторы: | , , , , , |
| Формат: | Artículo |
| Язык: | English |
| Опубликовано: |
2018
|
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | https://doi.org/10.1007/s00339-018-2198-9 https://link.springer.com/article/10.1007/s00339-018-2198-9 |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
Ваш комментарий будет первым!